所有现代存储芯片都具有非常低的质量。这意味着每一代新一代存储芯片都有比上一代更糟糕的单元。这是因为在存储器芯片生产过程中使用的工艺过程变得越来越小(首先是65纳米(纳米),而不是45纳米,32纳米,25纳米,现在 – 20纳米和18纳米,14纳米),芯片内部的单元变小并且更小,并且晶圆之间的隔离层变得更薄。与此同时,开发人员可以使用最新的技术流程替换同一区域的更大数量的单元,这就是为什么内存芯片变得更便宜并且它们的容量每年都在增长(但是它们的质量变得越来越差)。
现代存储器芯片中的错误数量变得如此之大,即使是绝对新的存储器芯片也已经存在许多坏单元(位错误)。这是一个真正的问题,因为刚刚生产的新芯片已经很糟糕了,如果制造商将它放入SSD或Flash设备中,它根本就不可行。这就是为什么制造商决定在所有内存芯片中添加新功能的原因,称为“坏列管理器” – 它是某种表格,可以替换所有有关受损单元格的记录。当该表离开装配线时,该表已经存在于存储器芯片中,并且该表已经包含有关所有坏单元的信息,这允许控制器在所有写入和读取操作期间不使用它们。
ACE Lab开发人员决定添加特殊工具,允许在读取过程中使用此表中的信息剪切所有坏单元格。但对于某些内存芯片和某些控制器,这个糟糕的列是不够的,并且它们使用某些附加列,这些列也位于转储中。不幸的是,我们的自动选项有时不能正常工作,并且某些例如基于SM3257EN控制器的情况,有时需要手动切割此添加。
存在非常简单的方法如何检测 – 在芯片读取后转储中是否存在此添加:
您可以尝试使用Page Designer – > Bit Map工具自行检查添加。它是分析转储结构非常有用的工具。如果您将移动到页面的末尾,并且将看到页面之间的转换,那么这将是包含添加内容的第二个标志。
最后,您可以尝试使用以下方式启动添加切割的特殊方法:数据准备 – >删除TLC WL NAND芯片的添加。 在自动模式下,它将尝试查找所有添加内容并在特殊窗口中显示它们。
此外,如果您决定手动删除所有插入,您可以观看视频如何执行此操作:
更新:
请注意,有时,转储中的插入内容不像视频示例中那样可见。 因此,如果您的控制器是SM,PS,IS,请准备查找它们,但由于某种原因,在错误纠正码自动检测的第一步中未检测到ECC。
你找到了吗? 如果不是 – 这是提示:
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