PC-3000 Flash数据校正方法ECC

在这篇文章中，我们将讨论转储修正的不同方法。我认为在NAND存储器芯片读取期间可能会出现一些误码并不是秘密。位错误的数量取决于以下因素：

NAND存储芯片的类型（SLC，MLC，TLC）;
触点清洁度（脏芯片通常更糟）;
温度影响（芯片拆焊过程中的高温可能会损坏电池）;
NAND单元的磨损程度（如果客户在NAND设备上重写信息数百次，小单元电容器的质量变得非常糟糕，并且它们会读取大量错误）;

当然，如果您希望从用户闪存驱动器获得100％的恢复，首先您需要尽可能多地修复ECC错误。否则，所有数据都将被破坏，无法使用或部分损坏：

请记住，BIT ERROR CORRECTION非常重要！

第一个是ECC校正。通常，这是最简单的数据修复方式。如您所知，通常控制器会在每个页面中添加称为备用区域（SA）的附加信息。它包含一些标记（例如 – 用于图像构建的标记），不同的标记和纠错码（ECC）。 ECC – 是一种基于初始写入用户信息的特殊扩展数据。通过特殊数学公式扩展数据有助于查找扇区\范围中的位错误并修复它们。通常ECC代码具有特殊长度 – 选择用于纠错的字节数。最大数量的ECC字节允许我们在每个扇区\范围内修复更多错误。

来自旧SLC NAND芯片的通用MBR扇区，页面大小为2112字节，扇区大小为528字节：

黄色 – 我们的DA（512字节），蓝色 – 用于图像构建的块号的标记（6个字节），绿色 – 错误校正码（10个字节）：

我们的软件试图找到以下扇区中的所有误码：

并应用ECC代码来修复它们：

例子 – 10个字节的ECC可以在扇区中修复5个字节的数据。 100字节的ECC可以在扇区中修复50字节的数据。但正如您所知，所有现代NAND存储器芯片都具有TLC架构，并且每个芯片中的ECC错误数量非常大。这就是为什么在现代芯片中，每页的ECC大小可以达到每16384字节DA的1690字节ECC（~10％）！同时，对于旧的SLC芯片，控制器通常每2048字节DA使用大约40个字节（仅2％）。

为了获得良好的ECC校正结果，您应该记住几条规则

在一些旧的SLC和MLC NAND存储器芯片中，ECC将无法应用，直到您进行页面转换;
现代TLC芯片通常在一对复杂的控制器中工作，该控制器使用XOR模式来加密数据。有时（在AU699x，SSS669x和其他一些）你应该在XOR准备后应用ECC自动检测！因为这个控制器中的XOR也支持crypt SA区域！
有时现代TLC芯片包含插入物（添加物）！如果你不消除它们将找不到ECC。
修复所有ECC错误时，应使用ECC构建映射并检查仍未纠正的扇区数。他们的人数不应超过5-6％。如果位错误的数量较大（例如 – 来自8GB转储的未校正数据的7.1GB）进一步恢复过程将是无用的。您将需要使用其他方法来提高内存转储质量。

在下一部分中，我们将讨论读出。