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MRT PRO校准日立硬盘Hitachi-IBM NV-RAM入口地址

MRT的日立维修工具,在点击“校准NV-RAM入口地址”菜单,首先会弹出工作目录设置对话框,要求用户设置当前的工作目录,用户在设置好当前的工作目录后将会弹出“校准NV-RAM入口地址”参数设置对话框,

如图2.2-6。

对话框中分为以下几个部分:“设置模式”、“设置范围”、“设置时间”、“设置目录”,其中“设置模式”只针对“SA入口地址”有效。 “设置目录”用于保存当前NV-RAM信息,以便校准失败后恢复NV-RAM。

使用MRT校准日立硬盘Hitachi-IBM NV-RAM入口地址

图2.2-6校准NV-RAM入口地址

一.SA入口地址

       “校准NV-RAM”用于搜索NV-RAM的入口地址并将其调整到正确的数值,“设置模式”分为“普通模式”和“遗留模式”,前者对所有硬盘都使用统一方法处理,在遇到硬盘Busy时没有复位的过程,速度较快;后者为MRT特有功能针对硬盘进行特殊处理,在遇到硬盘Busy时有硬复位的的操作,速度较慢。若使用普通模式无法校准可以尝试遗留模式。如果用户勾选“是否写入NV-RAM”当校准入口地址成功后会程序会将正确结果直接写入NV-RAM,并重新识别硬盘。执行结果显示在日志页。

1.      SA入口地址校准出错情况总结

有以下几个原因导致SA入口地址校准出错:

1.)NV-RAM或RAM读取失败

此时在Log页将显示以下信息:

Read NV-RAM………………………………………..Error

或者

Read RAM……………………………………………..Error

此错误表明NV-RAM或者RAM不可读取,可能由于硬盘密钥不正确或者硬盘PCB板有问题,如果是前者请选择正确的硬盘家族,如果是后者请确定PCB板是否连接正常,或者RAM芯片是否正常。

否则在Log页将显示以下信息:

Read NV-RAM………………………………………..OK

或者

Read RAM……………………………………………..OK

表明NV-RAM或者RAM读取正常。

2.)关键字搜索失败

此时在Log页将显示以下信息:

Searching for SA Tops table image in RAM………………………………………..Error

此错误表明虽然RAM读取正常但是读取的信息不正确,可能是由于ROM信息不正确或者ROM没有正确启动,导致引导信息没有正确的加载到RAM中。

否则在Log页将显示以下信息:

Searching for SA Tops table image in RAM………………………………………..OK

正常信息表明ROM已经正确引导在RAM中搜索到了匹配信息。

3.)保存NV-RAM文件失败

此时在Log页将显示以下信息:

Saveing NV-RAM to file……………………………………………………………….. Error

此错误表明备份NV-RAM出错,可能是由于工作目录建立出错、该文件夹禁止写入、杀毒软件或者其他程序锁定了工作目录、系统问题等。

否则在Log页将显示以下信息:

Saveing NV-RAM to file………………………………………………………………..OK

表明NV-RAM正常备份。

3.)写RAM出错

此时在Log页将显示以下信息:

Write RAM……………………………………………..Error

此错误表明RAM不能写入,可能由于硬盘PCB板有问题,确定PCB板是否连接正常,或者RAM芯片不正常。

否则在Log页将显示以下信息:

Write RAM……………………………………………..OK

4.)未知错误

此时在Log页将显示以下信息:

UnKnow error…………………………………………. Termination operation!

HDD cannot ready!

此错误表明硬盘在硬复位的过程中出现未知错误,导致硬盘无法就绪,硬盘一直处于Busy状态。由于用户需要处理的硬盘实际情况各不相同,因此硬盘读写时间和就绪时间也各有不同,用户可以在“校准NV-RAM入口地址”参数设置对话框设置适当的超时时间;或者在”工具 ->
 ATA超时设置”中设置适当的时间。

2.  总结

由于用户实际处理的盘差别很大,导致SA入口地址校准失败的原因也各不相同。在实际情况中大多数用户都是在更换PCB板后才需要校准SA入口地址,由于更换过后硬盘的伺服信息和ROM适配信息都将发生变化,这些变化都可能导致SA入口地址校准失败,用户必须根据实际情况结合维修经验正确设置参数和重新换板(写ROM或NVRAM)才能发挥其完整功能。

二.User Data Adds

       “User Data Adds”用于搜索用户数据区入口地址并将其调整到正确的数值,

程序在NV-RAM中调整用户数据区入口地址,由于修改NV-RAM后硬盘需要掉电重启后才会有效,因此此过程将重复修改NV-RAM并对硬盘执行掉电重启,直到硬盘的扇区能够正常访问。如果用户对硬盘的磁头性能或盘片状况不确定请慎用此功能。

1. User Data Adds入口地址校准出错情况总结

1.)NV-RAM读取失败

此时在Log页将显示以下信息:

Read NV-RAM………………………………………..Error

此错误表明NV-RAM不可读取,可能由于硬盘密钥不正确或者硬盘PCB板有问题,如果是前者请选择正确的硬盘家族,如果是后者请确定PCB板是否连接正常,或者RAM芯片是否正常。

否则在Log页将显示以下信息:

Read NV-RAM………………………………………..OK

表明NV-RAM或者RAM读取正常。

2.)写NV-RAM出错

此时在Log页将显示以下信息:

Write NV-RAM……………………………………………..Error

此错误表明NV-RAM不能写入,可能由于硬盘PCB板有问题,确定PCB板是否连接正常,或者RAM芯片不正常。

否则在Log页将显示以下信息:

Write NV-RAM……………………………………………..OK

3.)硬盘在指定超时时间内无法就绪

此时在Log页将显示以下信息:

HDD cannot ready!

此错误表明硬盘在掉电重启的过程中在指定超时时间内无法就绪,一直处于Busy灯常亮的状态。由于用户需要处理的硬盘实际情况各不相同,因此硬盘读写时间和就绪时间也各有不同,用户可以在“校准NV-RAM入口地址”参数设置对话框设置适当的超时时间;或者在”工具 ->
 ATA超时设置”中设置适当的时间。

2.总结

由于程序默认会读取的是用户扇区,如果用户扇区本身就坏了或者有划伤这将导致程序无论如何都无法正确读取到数据,用户数据区入口地址将无法校准到正确值。

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